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类型:P沟道
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):1.6A
功率(Pd):1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):11.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):444.2pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds):17.9pF@30V
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
产品名称: SL2309 P沟道中压MOSFET
概述:
SL2309是一款中压P沟道MOSFET,漏源电压为60V,连续漏极电流为1.6A,具有低导通电阻和高速开关特性。此外,该器件还具有低阈值电压和低输入电容等特点,非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。
主要特性:
- 漏源电压(Vdss):60V
- 连续漏极电流(Id):1.6A
- 功率(Pd):1.5W
- 导通电阻(RDS(on)):140mΩ @ 10V, 1.5A
- 阈值电压(Vgs(th)):2V @ 250uA
- 栅极电荷(Qg):11.3nC @ 10V
- 输入电容(Ciss):444.2pF @ 30V
- 反向传输电容(Crss):17.9pF @ 30V
- 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
- 封装:SOT-23-3
应用:
- DC-DC转换器
- 电池管理
- 电机驱动
- 电源开关
- LED驱动
注意事项:
- 此器件为静电敏感器件,操作时需注意防静电措施。
- 操作时需注意[敏感词]额定电压和电流,以免损坏器件。
- 器件工作温度不应超过规定范围。
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