SL65N10Q是一款中压N沟道MOS管，具有以下性能参数：

- 漏源电压(Vdss): 100V

- 连续漏极电流(Id): 未指定

- 功率(Pd): 89W

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,20A

- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA

- 栅极电荷(Qg@Vgs): 75nC@4.5V

- 输入电容(Ciss@Vds): 4.708nF@15V

- 反向传输电容(Crss@Vds): 247pF@15V

- 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)

- 封装: DFN5x6-8

SL65N10Q主要用于中压功率开关应用，如DC-DC转换器、电池充电器、工业控制和家电等。其高漏源电压、高导通电流、低导通电阻和低输入电容等优良特性，使其能够在高效能、高可靠性的应用中发挥重要作用。