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技术交流

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碳化硅 (SiC) 与氮化镓 (GaN)
  • 更新日期: 2023-02-21
  • 浏览次数: 3111
一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。   让我们探讨一下碳化硅和氮化镓之间的主要区别,这将有助于我们了解何时最有效地应用这些化合物……
IGBT的发展史及测试
  • 更新日期: 2023-02-21
  • 浏览次数: 1975
绝缘栅双极晶体管(IGBT)于20世纪80年代初发明、开发并商业化。器件结构(图4左侧)可以设计为在第一象限和第三象限(对称IGBT)的结J1和J2处阻断电压,或者仅在第一象限(不对称IGBT)阻断电压。IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作,该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移……
SiC外延工艺基本介绍
  • 更新日期: 2023-02-20
  • 浏览次数: 2546
外延层是在晶圆的基础上,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜,衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。 由于碳化硅功率……
十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 4048
在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时……
碳化硅功率器件技术可靠性!
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 1564
前言:碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的……
IGBT失效原因及保护方法
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 3825
01 关于 IGBT ……
SiC MOSFET学习笔记5:车规级功率半导体模块可靠性标准
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 3763
功率半导体的车规可靠性标准比较多,主要有美国汽车电子委员会的AEC标准(主要是针对晶圆)和欧洲电力电子中心的AQG324(针对模块)。今天主要复习AQG324这个标准。 先讨论一个工程逻辑:任何一个新产品,在设计之初就应该考虑其使用的可靠性,设计有缺陷,后期工艺上是很难弥补的,因此,当可靠性测试出现问题时,首先要……
DC-DC电路的环路补偿的调试经验
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 1828
1、A产品的DC-DC电路受干扰掉电 DC-DC电路设计采用LMR14030芯片实现交流24V转换成直流5V,给GSM模块供电,基中LMR14030芯片的EN脚连接一个开关,用于控制电路开关的功能,在小批量生产测试时发现,电路板未安装外壳的情况下工作正常,安装外壳后,测试时发现电源会在GSM发送数据时发生掉……
电源芯片的EN引脚应该如何设计?
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 2371
电机控制板的24V电源在给电机供电的同时也通过DCDC输出12V给其他电路供电。在没有电池时,电机发电为控制板供电,而电机的转动并非是匀速的,产生了波动较大的电压,如下图1所示,黄色线为电机反向发电电压,绿色则为MP2451输出的电压。 图1 电机发电曲线和DCDC的输出曲线 由上图可以看出,电机的……
光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 浏览次数: 2029
光伏逆变器中使用典型的反激变换器作为DC/DC部分的拓扑,本文简要分析反激变换器在光伏微逆中的应用。 一.反激变换器的应用概要分析 反激变换器一般用于较小功率的降压应用,典型来说低于几百瓦左右,它具有较低的输出电流。在光伏微逆变器应用中,反激变换器作为单极拓扑,它可以把20V-45VDC的PV电池电……
Chiplet对大陆半导体的战略意义
  • 更新日期: 2023-02-14
  • 浏览次数: 1873
芯片升级的两个永恒主题:性能、体积/面积。芯片技术的发展,推动着芯片朝着高性能和轻薄化两个方向提升。而先进制程和先进封装的进步,均能够使得芯片向着高性能和轻薄化前进。面对美国的技术封装,华为难以在全球化的先进制程中分一杯羹,手机、HPC等需要先进制程的芯片供应受到严重阻碍,亟需另辟蹊径。而先进封装/Chiplet等技术……
提高功率器件动态参数测试效率的7个方法
  • 更新日期: 2023-02-02
  • 浏览次数: 1343
对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环,测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的,也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的,一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。 ……

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