晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：600mA

功率(Pd)：625mW

集电极截止电流(Icbo)：50nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@50mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V

特征频率(fT)：100MHz

工作温度：+150℃@(Tj)