晶体管类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 30V

集电极电流(Ic): 100mA

功率(Pd): 300mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@100mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V

特征频率(fT): 300MHz

工作温度: +150℃@(Tj)