晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：25V
集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW
集电极截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA
特征频率(fT)：100MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
封装：SOT-23